Diodes Incorporated - DMG3406L-13

KEY Part #: K6420663

DMG3406L-13 Цэнаўтварэнне (USD) [1289594шт шт]

  • 1 pcs$0.02868
  • 10,000 pcs$0.02575

Частка нумар:
DMG3406L-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMG3406L-13. DMG3406L-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3406L-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMG3406L-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11.2nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 495pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 770mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў