IXYS - IXTK170P10P

KEY Part #: K6398457

IXTK170P10P Цэнаўтварэнне (USD) [5986шт шт]

  • 1 pcs$8.32087
  • 10 pcs$7.19663
  • 100 pcs$6.11714

Частка нумар:
IXTK170P10P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 100V 170A TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTK170P10P. IXTK170P10P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK170P10P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTK170P10P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
Серыя : PolarP™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 170A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 12600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 890W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-264 (IXTK)
Пакет / футляр : TO-264-3, TO-264AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • TK10A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS.

  • TK1K9A60F,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.