Частка нумар :
SI6413DQ-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
800mV @ 400µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
105nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.05W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-TSSOP
Пакет / футляр :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)