ON Semiconductor - FDS8962C

KEY Part #: K6524195

[3913шт шт]


    Частка нумар:
    FDS8962C
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDS8962C. FDS8962C можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS8962C Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDS8962C
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
    Серыя : PowerTrench®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N and P-Channel
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7A, 5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 26nC @ 10V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 575pF @ 15V
    Магутнасць - Макс : 900mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў