Vishay Siliconix - SI5853CDC-T1-E3

KEY Part #: K6412803

[13319шт шт]


    Частка нумар:
    SI5853CDC-T1-E3
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - Модулі and Тырыстары - TRIAC ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI5853CDC-T1-E3. SI5853CDC-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5853CDC-T1-E3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI5853CDC-T1-E3
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
    Серыя : LITTLE FOOT®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11nC @ 8V
    Vgs (макс.) : ±8V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 10V
    Функцыя FET : Schottky Diode (Isolated)
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 1206-8 ChipFET™
    Пакет / футляр : 8-SMD, Flat Lead

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.