Infineon Technologies - IRF1104PBF

KEY Part #: K6403787

IRF1104PBF Цэнаўтварэнне (USD) [45178шт шт]

  • 1 pcs$0.77349
  • 10 pcs$0.68443
  • 100 pcs$0.54085
  • 500 pcs$0.41944
  • 1,000 pcs$0.31324

Частка нумар:
IRF1104PBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF1104PBF. IRF1104PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1104PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF1104PBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 170W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • AUIRFZ24NS

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

  • SSM3J14TTE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

  • FDN338P_G

    ON Semiconductor

    INTEGRATED CIRCUIT.

  • IRF1324STRL-7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7.

  • IRLR014

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK.