EPC - EPC8002

KEY Part #: K6418444

EPC8002 Цэнаўтварэнне (USD) [65490шт шт]

  • 1 pcs$0.62703
  • 2,500 pcs$0.62391

Частка нумар:
EPC8002
Вытворца:
EPC
Падрабязнае апісанне:
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC8002. EPC8002 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8002 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : EPC8002
Вытворца : EPC
Апісанне : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Серыя : eGaN®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 65V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : +6V, -4V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 21pF @ 32.5V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : Die
Пакет / футляр : Die
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў