Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
13nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
430pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
38W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220F
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack