Central Semiconductor Corp - CMPDM203NH TR

KEY Part #: K6398395

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Central Semiconductor Corp CMPDM203NH TR. CMPDM203NH TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : CMPDM203NH TR

Вытворца : Central Semiconductor Corp

Апісанне : MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.2A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (макс.) : 12V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 395pF @ 10V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 350mW (Ta)

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23F

Пакет / футляр : SOT-23-3 Flat Leads

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

TN2640N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.
VP0109N3-G

Microchip Technology

MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.
IRLR3705ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
IXTY44N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.
TK290A60Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.
SPA04N80C3XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.