Diodes Incorporated - DMP2007UFG-7

KEY Part #: K6402097

DMP2007UFG-7 Цэнаўтварэнне (USD) [248099шт шт]

  • 1 pcs$0.14908
  • 2,000 pcs$0.13247

Частка нумар:
DMP2007UFG-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMP2007UFG-7. DMP2007UFG-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2007UFG-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMP2007UFG-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4621pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.3W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI3333-8
Пакет / футляр : 8-PowerWDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.