Vishay Siliconix - SIHG32N50D-GE3

KEY Part #: K6398218

SIHG32N50D-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [16040шт шт]

  • 1 pcs$2.56928
  • 10 pcs$2.29384
  • 100 pcs$1.88091
  • 500 pcs$1.52309
  • 1,000 pcs$1.28453

Частка нумар:
SIHG32N50D-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHG32N50D-GE3. SIHG32N50D-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG32N50D-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHG32N50D-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2550pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 390W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AC
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.