EPC - EPC2016

KEY Part #: K6404516

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2016. EPC2016 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : EPC2016

Вытворца : EPC

Апісанне : GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE

Серыя : eGaN®

Статус часткі : Discontinued at Digi-Key

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 11A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 5.2nC @ 5V

Vgs (макс.) : +6V, -5V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 520pF @ 50V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : -

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : Die

Пакет / футляр : Die

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў