ON Semiconductor - FDC5612

KEY Part #: K6396491

FDC5612 Цэнаўтварэнне (USD) [264954шт шт]

  • 1 pcs$0.14030
  • 3,000 pcs$0.13960

Частка нумар:
FDC5612
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDC5612. FDC5612 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC5612 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDC5612
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 650pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SuperSOT™-6
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў