LL4148-GS18 Цэнаўтварэнне (USD) [4413469шт шт]
- 1 pcs$0.00838
- 10,000 pcs$0.00789
- 30,000 pcs$0.00710
- 50,000 pcs$0.00631
- 100,000 pcs$0.00592
- 250,000 pcs$0.00526
- Частка нумар:
- LL4148-GS18
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 50 mA
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - JFET ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division LL4148-GS18. LL4148-GS18 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
LL4148-GS18 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
LL4148-GS18
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
75V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
300mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 50mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-80 MiniMELF
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Гарачыя часткі
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G