Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
14V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
11A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
125nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
8075pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)