Частка нумар :
STH360N4F6-2
Вытворца :
STMicroelectronics
Апісанне :
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Серыя :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
180A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.25 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
340nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
17930pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
300W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
H2Pak-2
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB