Частка нумар :
2SJ665-DL-1EX
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
27A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
77 mOhm @ 14A, 10V
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
74nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4200pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
65W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C (TA)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263-2
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB