Частка нумар :
NTD18N06T4G
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
18A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
30nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
710pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
DPAK
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63