Vishay Siliconix - SIHFS9N60A-GE3

KEY Part #: K6393061

SIHFS9N60A-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [84853шт шт]

  • 1 pcs$0.46081

Частка нумар:
SIHFS9N60A-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3. SIHFS9N60A-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFS9N60A-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHFS9N60A-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 170W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (D²Pak)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў