IXYS - IXFT52N30Q

KEY Part #: K6404066

IXFT52N30Q Цэнаўтварэнне (USD) [2139шт шт]

  • 30 pcs$6.81631

Частка нумар:
IXFT52N30Q
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFT52N30Q. IXFT52N30Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT52N30Q Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFT52N30Q
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 52A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5300pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 360W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

  • IXTY55N075T

    IXYS

    MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

  • HUF75829D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.