Частка нумар :
IRL80HS120
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
12.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
540pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
11.5W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
6-PQFN (2x2)
Пакет / футляр :
6-VDFN Exposed Pad