SF33G A0G Цэнаўтварэнне (USD) [655829шт шт]
- 1 pcs$0.05640
- Частка нумар:
- SF33G A0G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation SF33G A0G. SF33G A0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SF33G A0G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SF33G A0G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
150V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
950mV @ 3A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 150V
Ёмістасць @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V AEC-Q101
-
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,40V,SM SKY RECT.
-
V12P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 100V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
-
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 100V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
-
V12PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 12A 120V TO-277AC. Schottky Diodes & Rectifiers 12A,120V,TRENCH SKY RECT.
Гарачыя часткі
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF