Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150LH120N

KEY Part #: K6533217

VS-GB150LH120N Цэнаўтварэнне (USD) [765шт шт]

  • 1 pcs$60.67083
  • 12 pcs$57.78169

Частка нумар:
VS-GB150LH120N
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB150LH120N. VS-GB150LH120N можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150LH120N Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-GB150LH120N
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 300A
Магутнасць - Макс : 1389W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.87V @ 15V, 150A (Typ)
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 10.6nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Пакет прылад пастаўшчыка : Double INT-A-PAK

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.