ON Semiconductor - FDS3890

KEY Part #: K6522116

FDS3890 Цэнаўтварэнне (USD) [123616шт шт]

  • 1 pcs$0.30817
  • 2,500 pcs$0.30664

Частка нумар:
FDS3890
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDS3890. FDS3890 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS3890 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDS3890
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1180pF @ 40V
Магутнасць - Макс : 900mW
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў