SF12GHB0G Цэнаўтварэнне (USD) [1461272шт шт]
- 1 pcs$0.02531
- Частка нумар:
- SF12GHB0G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHB0G. SF12GHB0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SF12GHB0G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SF12GHB0G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
950mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-204AL (DO-41)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SB250-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT
-
SS15P3S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15 Amp 30 Volt 280 Amp IFSM
-
S4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt
-
AS3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,200V,STD, Avalanche SM
-
AU3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC FER, Avalanche SM
-
AR3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A. Rectifiers 3A 800V
Гарачыя часткі
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18