ON Semiconductor - NVMFS4C03NT3G

KEY Part #: K6420365

NVMFS4C03NT3G Цэнаўтварэнне (USD) [188235шт шт]

  • 1 pcs$0.19650
  • 5,000 pcs$0.12827

Частка нумар:
NVMFS4C03NT3G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVMFS4C03NT3G. NVMFS4C03NT3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS4C03NT3G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVMFS4C03NT3G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45.2nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3071pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў