Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
MHT1108NT1

MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

12611шт шт

A2T08VD021NT1

NXP USA Inc.

AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8.

7560шт шт

MMRF5014H-500MHZ

MMRF5014H-500MHZ

NXP USA Inc.

MMRF5014H-500M.

69шт шт

MRF7S24250N-3STG

NXP USA Inc.

MRF7S24250N-3STG.

69шт шт

BLS7G2729L-350P,11

BLS7G2729L-350P,11

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A.

122шт шт

BLA8H0910L-500U

BLA8H0910L-500U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A.

193шт шт

BLC9G27XS-380AVTZ

BLC9G27XS-380AVTZ

Ampleon USA Inc.

BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/TRAYD.

940шт шт

CGHV22100F

CGHV22100F

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 50V 440162.

756шт шт

BLC10G27LS-320AVTZ

BLC10G27LS-320AVTZ

Ampleon USA Inc.

BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD.

1074шт шт

AFT27S006NT1

AFT27S006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

16567шт шт

BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A.

452шт шт

A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

627шт шт

MMBFJ310

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

834342шт шт

A3T18H360W23SR6

NXP USA Inc.

1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2.

984шт шт

MMRF1019NR4

MMRF1019NR4

NXP USA Inc.

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5.

1472шт шт

A3T18H400W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

775шт шт

AFT27S012NT1

AFT27S012NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

8994шт шт

A3T19H455W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

781шт шт

AFG24S100HR5

AFG24S100HR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

268шт шт

MMRF1014NT1

MMRF1014NT1

NXP USA Inc.

FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5.

11800шт шт