Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
AFV10700H-1090

AFV10700H-1090

NXP USA Inc.

RF POWER TRANSISTORS.

69шт шт

MMRF5014HR5

MMRF5014HR5

NXP USA Inc.

FET RF 125V 2.5GHZ NI360.

268шт шт

A2G22S160-01SR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

810шт шт

MHT1008NT1

MHT1008NT1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ.

9468шт шт

A3G18H500-04SR3

A3G18H500-04SR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L.

629шт шт

AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W.

9458шт шт

A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

813шт шт

MMBF5484

MMBF5484

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

1104147шт шт

MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

NXP USA Inc.

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5.

1692шт шт

A3T21H360W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

965шт шт

BLS9G2735LS-50U

BLS9G2735LS-50U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS SOT1135B.

772шт шт

A3T21H450W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

798шт шт

A2T23H200W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

1608шт шт

MHT1006NT1

MHT1006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

10019шт шт

A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

756шт шт

A3T21H455W23SR6

NXP USA Inc.

FORECAST ACP1230S-4L2L.

746шт шт

A3T18H455W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

763шт шт

BLS7G2729LS-350P,1

BLS7G2729LS-350P,1

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B.

122шт шт

BLF174XR,112

BLF174XR,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A.

751шт шт

STAC250V2-500E

STAC250V2-500E

STMicroelectronics

TRANS RF 500W 250V STAC177B.

796шт шт