Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
AFT20P060-4NR3

AFT20P060-4NR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4.

3081шт шт

MRFE6VP5600HSR5

MRFE6VP5600HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S.

807шт шт

MRF6V12500HR5

MRF6V12500HR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H.

254шт шт

MMRF1314GSR5

MMRF1314GSR5

NXP USA Inc.

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V.

181шт шт

A2T18S261W12NR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

1381шт шт

MRF6VP3091NR1

MRF6VP3091NR1

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4.

1029шт шт

BLL8H1214LS-500U

BLL8H1214LS-500U

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B.

217шт шт

AFV121KGSR5

AFV121KGSR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

177шт шт

BLS8G2731LS-400PU

BLS8G2731LS-400PU

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B.

106шт шт

A2I08H040NR1

A2I08H040NR1

NXP USA Inc.

IC RF LDMOS AMP.

2585шт шт

MRF085HR3

NXP USA Inc.

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST.

768шт шт

MMRF1317HR5

MMRF1317HR5

NXP USA Inc.

TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V.

159шт шт

MRF6V2010NR1

MRF6V2010NR1

NXP USA Inc.

FET RF 110V 220MHZ TO270-2.

6720шт шт

BLL6H0514LS-130,11

BLL6H0514LS-130,11

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B.

452шт шт

MRFE6VP8600HR5

MRFE6VP8600HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230.

367шт шт

MMRF1005HR5

MMRF1005HR5

NXP USA Inc.

FET RF 120V 1.3GHZ NI-780.

310шт шт

AFT09H310-03SR6

AFT09H310-03SR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S.

681шт шт

BLA8H0910LS-500U

BLA8H0910LS-500U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B.

193шт шт

MRF6VP121KHSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H.

156шт шт

AFT09MP055GNR1

AFT09MP055GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270.

6656шт шт