Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ

MRFE8VP8600HR5

NXP USA Inc.

TRANS RF N-CH 600W 50V.

688шт шт

MRFE6VP6300GSR5

NXP USA Inc.

FET RF 50V 600MHZ NI780-4.

978шт шт

MRFE6VP61K25NR6

NXP USA Inc.

TRANS RF LDMOS 1250W 50V.

687шт шт

MRF13750HSR5

MRF13750HSR5

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W.

521шт шт

A2T20H160W04NR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4.

1309шт шт

MRFE6VP5150NR1

MRFE6VP5150NR1

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270.

3389шт шт

MHE1003NR3

MHE1003NR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

717шт шт

BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U

Ampleon USA Inc.

BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY.

249шт шт

AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230.

609шт шт

AFT21S140W02SR3

AFT21S140W02SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2.

692шт шт

AFT21H350W04GSR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.11GHZ.

573шт шт

MHT1004GNR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450.

708шт шт

MMRF1015GNR1

MMRF1015GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 68V 960MHZ.

6554шт шт

AFT09S200W02SR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 4W PLD.

1079шт шт

A2T07H310-24SR6

A2T07H310-24SR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 880MHZ.

663шт шт

AFV121KHSR5

AFV121KHSR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

177шт шт

CGHV22200F

CGHV22200F

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 50V 440162.

443шт шт

MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230.

587шт шт

AFV09P350-04GNR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW.

468шт шт

AFT18S260W31GSR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

768шт шт