| Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B. |
710шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
261шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B. |
897шт шт |
 |
IXYS-RF |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375. |
4227шт шт |
 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04. |
511шт шт |
 |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247. |
2607шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B. |
1214шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
345шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A. |
261шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450. |
717шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H. |
254шт шт |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S. |
186шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER. |
407шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 803MHZ. |
920шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
1834шт шт |
|
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS TRANS CELL. |
1231шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-272-4. |
1429шт шт |
|
NXP USA Inc. |
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE. |
252шт шт |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V. |
3345шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230. |
258шт шт |
Старонкі класіфікацыі
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка19
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка20
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка21
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка22
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка23
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка24
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка25
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка26
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка27
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка28
success