Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
AFT21S220W02GSR3

AFT21S220W02GSR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2.

704шт шт

MRF6S20010GNR1

MRF6S20010GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW.

3348шт шт

BLP25M705Z

BLP25M705Z

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN.

6175шт шт

BLP9G0722-20GZ

BLP9G0722-20GZ

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1.

6840шт шт

BLP35M805Z

BLP35M805Z

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN.

7834шт шт

MRF6V2150NR1

MRF6V2150NR1

NXP USA Inc.

FET RF 110V 220MHZ TO-270-4.

1914шт шт

AFT05MS031NR1

AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

FET RF 40V 520MHZ TO-270-2.

11435шт шт

MRF1535NT1

MRF1535NT1

NXP USA Inc.

FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP.

4921шт шт

CGHV1F006S

CGHV1F006S

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN.

2344шт шт

MRFE6VS25GNR1

MRFE6VS25GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 133V 512MHZ TO-270-2.

4356шт шт

AFT20S015GNR1

AFT20S015GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G.

4605шт шт

MW6S010NR1

MW6S010NR1

NXP USA Inc.

FET RF 68V 960MHZ TO270-2.

6706шт шт

BLM8G0710S-60PBY

BLM8G0710S-60PBY

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112.

2331шт шт

BLP8G27-5Z

BLP8G27-5Z

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN.

12545шт шт

BLP15M7160PY

BLP15M7160PY

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232.

1685шт шт

BLP25M710Z

BLP25M710Z

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN.

4859шт шт

PTFB093608SVV2R250XTMA1

Infineon Technologies

IC AMP RF LDMOS.

731шт шт

PTFA092201E-V4-R250

PTFA092201E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

FET RF 65V 960MHZ H-36260-2.

731шт шт

CGH40035F

CGH40035F

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 28V 440193.

568шт шт

BLF7G20LS-250P,112

BLF7G20LS-250P,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B.

742шт шт