Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
BLF2425M7LS140,112

BLF2425M7LS140,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B.

754шт шт

BLF2425M7L140,112

BLF2425M7L140,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A.

754шт шт

PTFA211801E-V5-R250

PTFA211801E-V5-R250

Cree/Wolfspeed

FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2.

756шт шт

BLF6G21-10G,112

BLF6G21-10G,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A.

2453шт шт

CGHV60040D-GP4

CGHV60040D-GP4

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 50V DIE.

2208шт шт

BLF7G20LS-250P,118

BLF7G20LS-250P,118

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B.

782шт шт

A2G26H280-04SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

786шт шт

PD85015STR-E

PD85015STR-E

STMicroelectronics

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF.

4446шт шт

BLF188XRU

BLF188XRU

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A.

501шт шт

BLF2425M7L140,118

BLF2425M7L140,118

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A.

795шт шт

BLF2425M8LS140J

BLF2425M8LS140J

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B.

795шт шт

BLF2425M7LS140,118

BLF2425M7LS140,118

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B.

795шт шт

2SK4037(TE12L,Q)

2SK4037(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.

31173шт шт

MRF7S15100HSR3

MRF7S15100HSR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 1.51GHZ NI780S.

803шт шт

PTFA041501F-V4-R0

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2.

819шт шт

PTFA041501E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2.

819шт шт

CGHV40100F

CGHV40100F

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET HEMT 50V 440193.

268шт шт

BLF7G24LS-160P,112

BLF7G24LS-160P,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B.

820шт шт

BLF6G10L-260PBM,11

BLF6G10L-260PBM,11

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V SOT1110A.

826шт шт

PTFA072401FL-V5-R0

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET LDMOS 30V H-34288-2.

839шт шт