| Выява | Ключавая частка / Вытворца | Апісанне / PDF | Колькасць / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF. |
3169шт шт |
|
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF. |
8365шт шт |
 |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF. |
4565шт шт |
 |
Cree/Wolfspeed |
IC AMP RF LDMOS H-33288-6. |
854шт шт |
|
Cree/Wolfspeed |
IC AMP RF LDMOS H-33288-6. |
854шт шт |
 |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V 440193. |
308шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B. |
864шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4. |
864шт шт |
 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 400MHZ 211-07. |
2462шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A. |
878шт шт |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B. |
878шт шт |
 |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V 440166. |
778шт шт |
|
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS. |
896шт шт |
 |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH PW-X. |
9948шт шт |
 |
IXYS-RF |
RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275. |
2425шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A. |
924шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B. |
924шт шт |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2. |
938шт шт |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B. |
944шт шт |
|
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS. |
964шт шт |
Старонкі класіфікацыі
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка58
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка59
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка60
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка61
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка62
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка63
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка64
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка65
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка66
- Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ - Старонка67
success