Транзістары - IGBT - Модулі


Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ

FZ1200R17HP4HOSA2

Infineon Technologies

MODULE IGBT IHMB130-2.

142шт шт

VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK.

776шт шт

DD1200S12H4HOSA1

Infineon Technologies

MOD DIODE 1200A IHMB130-2.

143шт шт

VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

776шт шт

VS-GT100LA120UX

VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

775шт шт

FZ1200R12HE4PHPSA1

Infineon Technologies

MODULE IGBT IHMB130-2.

144шт шт

VS-GT100DA60U

VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

7533шт шт

VS-GT100DA120U

VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

775шт шт

VS-GB75SA120UP

VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

775шт шт

VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK.

773шт шт

VS-GB70NA60UF

VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

773шт шт

VS-GB75DA120UP

VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

773шт шт

APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 140A 480W SOT227.

2722шт шт

VS-GB70LA60UF

VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

4336шт шт

VS-GB100TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK.

772шт шт

FZ1200R12HP4HOSA2

Infineon Technologies

MODULE IGBT IHMB130-2.

150шт шт

VS-GB50LA120UX

VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.

4336шт шт

FZ1200R12HE4HOSA2

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 1200A.

150шт шт

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1700V 1000A.

151шт шт

VS-GB100DA60UP

VS-GB100DA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

771шт шт