Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
MMRF1305HR5

MMRF1305HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4.

1262шт шт

MMRF1007HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S.

161шт шт

AFT21S230-12SR3

AFT21S230-12SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L.

654шт шт

MRF8P9300HSR6

MRF8P9300HSR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS.

435шт шт

MRF8S18210WGHSR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS.

905шт шт

MMRF1306HR5

MMRF1306HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230.

587шт шт

MMRF1317HSR5

MMRF1317HSR5

NXP USA Inc.

TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V.

159шт шт

MRFE6VP61K25GSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS.

585шт шт

MMRF1314HR5

MMRF1314HR5

NXP USA Inc.

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V.

183шт шт

MRFX035HR5

MRFX035HR5

NXP USA Inc.

TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V.

2120шт шт

AFT26H160-4S4R3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4.

996шт шт

A2T18S260-12SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

907шт шт

A2I20H060GNR1

A2I20H060GNR1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

1748шт шт

MRFE6VP6600NR3

MRFE6VP6600NR3

NXP USA Inc.

TRANS RF LDMOS 600W 50V.

1093шт шт

A2T18S166W12SR3

NXP USA Inc.

FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2.

1770шт шт

A2I25H060GNR1

A2I25H060GNR1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

1711шт шт

A2T21S160-12SR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

1020шт шт

AFT21S232SR3

AFT21S232SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2.

982шт шт

AFT09S200W02GNR3

NXP USA Inc.

FET RF 70V 960MHZ PLD.

1079шт шт

AFT26H200W03SR6

AFT26H200W03SR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4.

786шт шт