Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ

AFT21S240-12SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2.

924шт шт

AFT18S230SR3

AFT18S230SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6.

982шт шт

A2T23H300-24SR6

A2T23H300-24SR6

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

700шт шт

A2T26H165-24SR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

975шт шт

MRF8P20165WHR3

MRF8P20165WHR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4.

864шт шт

MRFX600HR5

MRFX600HR5

NXP USA Inc.

TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V.

763шт шт

AFT18S290-13SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S.

772шт шт

MMRF1310HSR5

MMRF1310HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ.

1077шт шт

MRFE6VP8600HSR5

MRFE6VP8600HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S.

367шт шт

AFT23H160-25SR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

995шт шт

MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW.

3345шт шт

A2T09VD250NR1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

989шт шт

MMRF1009HR5

MMRF1009HR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S.

186шт шт

MMRF1020-04GNR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G.

416шт шт

A2I25H060NR1

A2I25H060NR1

NXP USA Inc.

IC RF LDMOS AMP.

1554шт шт

AFV10700GSR5

NXP USA Inc.

1030MHZ 750W NI780GS-4L.

218шт шт

AFT18H356-24SR6

AFT18H356-24SR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4.

597шт шт

AFT20P060-4GNR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW.

3081шт шт

MRFE6S9125NR1

MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

FET RF 66V 880MHZ TO-270-4.

1429шт шт

A2T21H140-24SR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4.

2198шт шт