Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
AFT23H200-4S2LR6

AFT23H200-4S2LR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4.

958шт шт

A2T18S262W12NR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

1381шт шт

MMRF1308HR5

MMRF1308HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230.

479шт шт

MRF8VP13350GNR3

NXP USA Inc.

TRANS RF LDMOS 350W 50V.

678шт шт

AFV141KHSR5

AFV141KHSR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

181шт шт

MHT1003NR3

MHT1003NR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ.

782шт шт

A2T20H330W24NR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

795шт шт

MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230.

210шт шт

MMRF1320NR1

NXP USA Inc.

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V.

2433шт шт

MRFE6S9060NR1

MRFE6S9060NR1

NXP USA Inc.

FET RF 66V 880MHZ TO270-2.

3487шт шт

MMRF1312GSR5

MMRF1312GSR5

NXP USA Inc.

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V.

177шт шт

MRFX1K80GNR5

MRFX1K80GNR5

NXP USA Inc.

600MHZ 1.8KW OM1230G-4L.

478шт шт

AFT21S230SR3

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6.

654шт шт

A2V09H525-04NR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR.

683шт шт

A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

627шт шт

MRF8P8300HSR6

MRF8P8300HSR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S.

653шт шт

AFT26P100-4WGSR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET 2.6GHZ 100W NI780S-6.

1103шт шт

A2T21H360-23NR6

NXP USA Inc.

RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S.

782шт шт

AFV121KHR5

AFV121KHR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

178шт шт

A2T09VD300NR1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

918шт шт