Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

627шт шт

A3T18H360W23SR6

NXP USA Inc.

1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2.

984шт шт

MMRF1019NR4

MMRF1019NR4

NXP USA Inc.

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5.

1472шт шт

A3T18H400W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

775шт шт

AFT27S012NT1

AFT27S012NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

8994шт шт

A3T19H455W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

781шт шт

AFG24S100HR5

AFG24S100HR5

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

268шт шт

MMRF1014NT1

MMRF1014NT1

NXP USA Inc.

FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5.

11800шт шт

AFV10700H-1090

AFV10700H-1090

NXP USA Inc.

RF POWER TRANSISTORS.

69шт шт

MMRF5014HR5

MMRF5014HR5

NXP USA Inc.

FET RF 125V 2.5GHZ NI360.

268шт шт

A2G22S160-01SR3

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.

810шт шт

MHT1008NT1

MHT1008NT1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ.

9468шт шт

A3G18H500-04SR3

A3G18H500-04SR3

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L.

629шт шт

AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W.

9458шт шт

A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

813шт шт

MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

NXP USA Inc.

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5.

1692шт шт

A3T21H360W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

965шт шт

A3T21H450W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

798шт шт

A2T23H200W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

1608шт шт

MHT1006NT1

MHT1006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

10019шт шт