Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ

Выява Ключавая частка / Вытворца Апісанне / PDF Колькасць / RFQ
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.

756шт шт

A3T21H455W23SR6

NXP USA Inc.

FORECAST ACP1230S-4L2L.

746шт шт

A3T18H455W23SR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

763шт шт

MHT1004NR3

MHT1004NR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450.

717шт шт

MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H.

254шт шт

MMRF1009HSR5

MMRF1009HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S.

186шт шт

MMRF1008GHR5

NXP USA Inc.

PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER.

407шт шт

A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 803MHZ.

920шт шт

MRF8HP21080HR3

MRF8HP21080HR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4.

1834шт шт

A2T21H100-25SR3

NXP USA Inc.

IC RF LDMOS TRANS CELL.

1231шт шт

MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9125NBR1

NXP USA Inc.

FET RF 66V 880MHZ TO-272-4.

1429шт шт

MRF6V12500GSR5

NXP USA Inc.

PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE.

252шт шт

MMRF1320GNR1

NXP USA Inc.

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V.

3345шт шт

MRF8P29300HR6

MRF8P29300HR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230.

258шт шт

MRFE8VP8600HSR5

NXP USA Inc.

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS.

684шт шт

MRF8P20140WHR3

MRF8P20140WHR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4.

1002шт шт

A2V07H400-04NR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

897шт шт

A2V07H525-04NR6

NXP USA Inc.

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR.

683шт шт

MRF8P9210NR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4.

1067шт шт

AFT05MP075GNR1

AFT05MP075GNR1

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4.

6459шт шт