Vishay Siliconix - SIHB10N40D-GE3

KEY Part #: K6393049

SIHB10N40D-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [49745шт шт]

  • 1 pcs$0.78603
  • 1,000 pcs$0.34821

Частка нумар:
SIHB10N40D-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3. SIHB10N40D-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB10N40D-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHB10N40D-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 400V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 526pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 147W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (D²Pak)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў