Diodes Incorporated - DMJ70H900HJ3

KEY Part #: K6393319

DMJ70H900HJ3 Цэнаўтварэнне (USD) [64604шт шт]

  • 1 pcs$0.60827
  • 75 pcs$0.60524

Частка нумар:
DMJ70H900HJ3
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3. DMJ70H900HJ3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H900HJ3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMJ70H900HJ3
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 603pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 68W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-251
Пакет / футляр : TO-251-3, IPak, Short Leads

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD390N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK.

  • DKI03082

    Sanken

    MOSFET N-CH 30V 29A TO-252.

  • DKI10299

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 28A TO-252.

  • DKI06075

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-252.

  • FDD1600N10ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.