Частка нумар :
IPI120N06S4H1AKSA2
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH TO262-3
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
270nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
21900pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
250W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO262-3-1
Пакет / футляр :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA