Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M621H TR

KEY Part #: K6416234

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR. CTLDM7120-M621H TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : CTLDM7120-M621H TR

Вытворца : Central Semiconductor Corp

Апісанне : MOSFET N-CH 20V 1A

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V

Vgs (макс.) : 8V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 220pF @ 10V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)

Працоўная тэмпература : -65°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : TLM621H

Пакет / футляр : 6-XFDFN Exposed Pad

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў