Частка нумар :
SIA430DJ-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
800pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / футляр :
PowerPAK® SC-70-6