IXYS - IXTA4N65X2

KEY Part #: K6395078

IXTA4N65X2 Цэнаўтварэнне (USD) [56679шт шт]

  • 1 pcs$0.76265
  • 50 pcs$0.75885

Частка нумар:
IXTA4N65X2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA4N65X2. IXTA4N65X2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA4N65X2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA4N65X2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 455pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 80W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB