Infineon Technologies - IPA60R600CPXKSA1

KEY Part #: K6407298

[8622шт шт]


    Частка нумар:
    IPA60R600CPXKSA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPA60R600CPXKSA1. IPA60R600CPXKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPA60R600CPXKSA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPA60R600CPXKSA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
    Серыя : CoolMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.1A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 220µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 550pF @ 100V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 28W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-FP
    Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.

    • 2SK2845(TE16L1,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 900V 1A DP.