Частка нумар :
IPP086N10N3GHKSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
55nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3980pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
125W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220-3
Пакет / футляр :
TO-220-3