Infineon Technologies - IPP60R199CPXKSA1

KEY Part #: K6399349

IPP60R199CPXKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [22056шт шт]

  • 1 pcs$1.61296
  • 10 pcs$1.44197
  • 100 pcs$1.18240
  • 500 pcs$0.90836
  • 1,000 pcs$0.76608

Частка нумар:
IPP60R199CPXKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP60R199CPXKSA1. IPP60R199CPXKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R199CPXKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP60R199CPXKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Серыя : CoolMOS™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 16A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1520pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 139W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.