ON Semiconductor - NTMFS4925NT1G

KEY Part #: K6411780

NTMFS4925NT1G Цэнаўтварэнне (USD) [409587шт шт]

  • 1 pcs$0.09030
  • 1,500 pcs$0.07655

Частка нумар:
NTMFS4925NT1G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTMFS4925NT1G. NTMFS4925NT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4925NT1G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NTMFS4925NT1G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.7A (Ta), 48A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21.5nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1264pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 920mW (Ta), 23.2W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.